Memoria RAM Kingston ValueRAM 4GB/ DDR4/ 3200MHz/ 1.2V/ CL22/ SODIMM

Memoria RAM Kingston ValueRAM 4GB

Este documento describe el KVR32S22S6/4 de ValueRAM como un módulo de memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (Synchronous DRAM) de 512M x 64-bit (4GB), 1Rx16, basado en cuatro componentes FBGA de 512M x 16-bit. El SPD está programado según la latencia estándar JEDEC DDR4-3200 de 22-22-22 a 1.2V. Este SODIMM de 260 pines utiliza contactos de oro.

Características:

• Fuente de alimentación: VDD = 1.2V Típico
• VDDQ = 1.2V Típico
• VPP = 2.5V Típico
• VDDSPD = 2.2V a 3.6V
• Terminación en chip dinámica y nominal (ODT) para datos, señales de estrobo y máscara
• Autorefresco de baja potencia (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en chip
• Single-rank
• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) a bordo
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Opción de ráfaga fija (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• Selección de BC4 o BL8 sobre la marcha (OTF)
• Topología fly-by
• Comando de control y bus de dirección terminados
• PCB: Altura 1.18” (30.00mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos

Especificaciones

• Ciclos de Latencia (CL): 22 ciclos
• Tiempo de Ciclo de Fila (tRCmin): 45.7ns (mínimo)
• Tiempo de Comando Activo/Refresco (tRFCmin): 350ns (mínimo)
• Tiempo Activo de Fila (tRASmin): 32ns (mínimo)
• Clasificación UL: 94 V - 0
• Temperatura de Funcionamiento: 0°C a +85°C
• Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +100°C

- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 350 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 45,75 ns
- Placa de plomo: Oro
- Acorde RoHS: Si
- Voltaje de memoria: 1.2 V
- Latencia CAS: 22
- ECC: No
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
- Libre de halógenos: Si
- Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM
- Componente para: Portátil
- Velocidad de memoria del reloj: 3200 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR4
- Memoria interna: 4 GB
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C